【电子】小米发布引爆市场,GaN有望高速增长

机构:西南证券

投资要点

 GaN 材料的加入使手机充电器快充效率进一步提升。GaN 材料的运行速度比 旧式慢速硅加快了 20 倍,并且能实现高出三倍的功率。GaN 充电器具备小巧、 高效、发热低等优势,在 CES2020 上,有 30 家厂商推出了 66 款 GaN 产品, 但是由于技术、良率等问题,价格相对昂贵。随着 GaN 技术的革新升级,性 能及成本优势加持下,GaN 未来有望成为主流快充技术。GaN 充电器或将凭 借自身的突出优势加速普及,成为未来解决手机续航问题的关键。

 GaN 在射频器件、功率器件等领域都表现出较强的渗透能力。在性能上,GaN 材料本身拥有很大带隙,可大幅降低导通电阻,并可在高温下工作。 GaN 充 电器不仅具备了低发热小体积的突出优势,更在充电功率转换上更具优势。一 方面,GaN 器件适用于多数功率器件市场,按照整体市场 154 亿美元来看, 占据 68%的该部分低压市场都是 GaN 的潜在市场,约有 105 亿美元。作为功 率器件,GaN 在电源设备上先行一步,在其它电子器件市场也有望加速渗透, 能够广泛应用于无线充电件、电源开关、逆变器、交流器等领域。另一方面, 5G 为射频主战场带来重大机遇。射频领域是 GaN 技术渗透率最高,发展前景 最大的行业。2018 年 GaN 射频器件市场规模不足 2 亿美元,预计将保持 23% 的年复合增速,预计 2023 年市场规模可达 13 亿美元。

 三安光电等国内企业正在加速布局 GaN 生产线。在当前市场格局上,美日欧 厂商处于领先地位,但中国企业已经有所涉及。尽管我国氮化镓材料起步较晚, 但国家相关扶持政策在不断为第三代半导体器件的研制和应用加码。国内已有 数条 GaN 生产线投入使用,并投建了多个与第三代半导体相关的研发平台。 国外厂商积极布局中国市场的同时,国内厂商三安光电积极利用其国内光电领 域龙头地位的技术领先优势,投资 30 亿元用于进一步规划 GaN 外延片及芯片 生产线的筹建,有望在 GaN 加速渗透趋势中优先收益。

 投资建议。未来全球氮化镓快充市场必将飞速发展,迅速获得广大用户群体的 接受和认可。我们假设全球手机销售量受 5G 刺激迎来拐点,呈现稳定增长趋 势;标配快充比例按照稳种有升的速度变化;快充中 GaN 渗透率加速增加、 GaN 充电器价格稳定降低的趋势,到 2025 年全球 GaN 充电器市场规模将增 长至213.8亿元。建议关注积极布局第三代半导体产业链的国内企业三安光电。 三安光电是化合物半导体国产替代龙头标的,不断布局化合物半导体,加大投 入成立新项目以适应未来 5G 环境下增长的射频器件的需求,公司有望获得射 频前端器件自给率提高带来的红利。

 风险提示:宏观经济形势恢复不及预期、5G 建设不及预期。 

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