电子GaN行业深度：5G，快充，UVC--第三代半导体潮起

机构：中信建投

射频 GaN 在 5G 基站和军用雷达的应用中独具优势 GaN 射频器件具有高频、高功率、宽带宽、低功耗、小尺寸的特点， 能在 5G 时代节省宝贵的 PCB 空间，并达到良好的功耗控制。GaNon-Si 有望挑战 BTS 和 RF 功率市场中现有的 LDMOS 解决方案。到 2024 年 GaN 射频市场空间可达 20 亿美元，CAGR 达 21%，主要由 军用雷达和无线基础设施市场拉动。全球市场主要由以 Cree 和住友 电工为代表的美日企业统治，国内厂商如三安光电、海特高新、华进 创威在 GaN RF HEMT 领域有一定实力。

快充、汽车电子、消费电子推动功率 GaN 放量 GaN 在电源管理、发电和功率输出方面具有明显的技术优势。在 600 伏特左右电压下，其在芯片面积、电路效率和开关频率方面明显优 于硅，这使电源产品更为轻薄、高效。并且，GaN 充电器体积小、 功率高、支持 PD 协议，有望在未来统一笔电和手机的充电器市场， 市场前景广阔。预计 2024 年 GaN 电源市场将超过 3.5 亿美元，CAGR 达 85％，GaN 快充是主要推动力量。全球市场由 Infineon、EPC、 GaN Systems、Transphorm和Navitas等公司主导，产品主要由TSMC， Episil、X-FAB 代工。国内新兴代工厂中，三安光电和海特高新具有 量产 GaN 功率器件的能力。

疫情中短期内刺激光电市场，基于 GaN 的深紫外 UVC 需求高涨 GaN 因其材料的高频特性是制备紫外光器件的良好材料，GaN 基紫 外激光器在紫外固化、紫外杀菌等领域有重要的应用价值。疫情期 间，中美都已启用基于 GaN 的 UVC 进行消毒杀菌。 2018 年全球 UV LED 市场规模达 2.99 亿美金，预计到 2023 年市场规模将达 9.91 亿 美金，2018-2023 年复合增长率达到 27%。目前市场上高端的深紫外 LED 产品仍以日本、韩国厂商为主，国内有布局深紫外芯片-封装模组产业链的青岛杰生（圆融光电），深紫外 LED 芯片的三安光电、 湖北深紫、中科潞安、华灿光电、鸿利秉一，以及高性能紫外传感芯 片的镓敏光电。

投资建议 我们认为，5G 对高功率射频的需求，手机和笔电对高效轻小快充的 需求将在 2020-2021 年爆发，疫情对深紫外 UVC 的需求将在 2020 年短期内集中爆发。中长期来看，三类需求面对的都是 GaN 器件的 蓝海市场，具有可观的增长空间。我们建议关注三安光电 （600703.SH）、海特高新（002023.SZ）、闻泰科技（600745.SH）、 华灿光电（300323.SZ）、士兰微（600460.SH）等。

风险提示 技术创新进度缓慢、市场推广不及预期、消费市场需求疲软