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长鑫科技(688825):十年破局DRAM垄断 算力+国产替代双轮驱动成长

09-17 00:00 24

机构:天风证券
研究员:李双亮/李泓依

  国产DRAM一体化龙头,产能、工艺与研发实力持续迭代,业绩实现扭亏高增。长鑫科技是国内唯一、全球第四的DRAM 全链路IDM 厂商,依托合肥、北京三座12 英寸晶圆厂实现产能持续爬坡,公司采取跳代研发路线,多代工艺平台顺利量产,DDR5、LPDDR5X 已批量供货,HBM3 完成头部云厂商验证,前瞻布局高端AI 存储产品。公司研发团队规模庞大、专利储备充足,股权由国资、员工平台多元制衡,无控股股东,兼顾产业扶持与市场化管理;财务端2022 至2026H1 完成由深度亏损到大幅盈利的转变,营收、毛利率同步高速改善,295 亿元募投项目将持续推动产线技改与前沿技术研发,中长期产能与技术成长空间充足。
  AI 算力重塑DRAM供需格局,行业持续高景气,为长鑫带来广阔成长红利。
  AI 算力建设带来服务器DRAM 长期增量,全球DRAM 需求高增,大幅对冲手机、PC 消费端需求疲软,行业周期逻辑发生根本性变化。同时,存储厂商随下游需求动态调控产能,但晶圆厂建设及产能爬坡周期长达数年,未来几年DRAM 行业或将延续供不应求态势。全球DRAM 市场规模持续高速扩张,国内需求占比超四分之一但本土供给不足,叠加地缘摩擦下供应链自主可控需求提升,国产替代、新技术迭代两大逻辑共同打开行业长期成长天花板。
  长鑫聚焦高毛利DRAM赛道,工艺技术、IDM模式、产品、客户、供应链优势构筑核心成长壁垒。公司完整覆盖DRAM 设计、制造、封测、模组全链条,DDR、LPDDR 产品性能对标海外三巨头,广泛适配服务器、移动终端、PC、智能汽车多类下游;相较三星、美光等同业同时布局NAND、面板等低毛利业务,公司聚焦高毛利DRAM 赛道,盈利弹性更显著。随着国内云厂商、消费电子品牌持续导入国产存储,客户规模稳步扩张,同时公司积极推进供应链的多元化、本土化,增强供应链的安全保障能力,降低国际贸易摩擦带来的供应链风险,叠加多厂区产能有序释放、高端产品占比持续提升,中长期业绩增长具备坚实支撑。
  盈利预测与投资建议:综合来看,长鑫科技深度受益AI 算力长期增量、DRAM 行业超级上行周期、国内存储国产替代三大核心红利,公司产能持续释放、募投项目助力工艺与高端产品迭代,DDR、LPDDR 双产品线量价共振驱动营收与毛利率同步上行,叠加HBM 前瞻布局打开远期成长天花板。我们预计公司2026/2027/2028 年营业收入分别为2,948.74/4,533.45/6,132.44 亿元, 归母净利润分别为1473.66/2471.89/3320.86 亿元,预测期内成长动能充足,业绩具备向上弹性,首次覆盖,给予公司“增持”评级。
  风险提示:主营业务收入不及预期风险;公司存在累计未弥补亏损的风险;产品及技术研发不达预期的风险;人才短缺或流失的风险;客户集中度较高的风险;国际贸易摩擦导致产业链不稳定的风险;无控股股东和实际控制人的风险;毛利率不及预期的风险;管理费用率上升的风险等。