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机构：华鑫证券
研究员：庄宇/何鹏程
在人工智能向AGI 演进以及外部技术管制常态化的背景下，国产算力正迎来爆发式增长的阶段。华为昇腾通过950PR 与950DT 双芯互补，打造Atlas 950 SuperPoD 万卡超节点，各项主要能力上都远超业界主要产品，并打破头部大模型优先适配英伟达的惯例——DeepSeek V4 已率先向昇腾开放。根据IDC 数据，2025 年中国AI 加速卡总出货量约400 万张，同比增长65%；国产厂商合计出货约165 万张，市场份额达到41.3%。其中，华为昇腾出货量达到81.2 万张。
随着华为昇腾与国产大模型厂商的适配度提升，950 系列芯片的出货量将于2026 年进一步提升。同时，中芯国际将于2026年继续推进扩产，预计年底新增折合12 英寸晶圆月产能约4万片。
海外存储市场，SK 海力士与三星电子正积极布局产能扩张。
2026 年2 月董事会批准追加约21.6 万亿韩元投资，将其龙仁半导体集群首座晶圆厂的总投资额推升至31 万亿韩元，并将首个无尘室的投产时间从2027 年5 月大幅提前至2027 年2月；同时批准从ASML 引进价值约11.95 万亿韩元的EUV 光刻设备，部署计划持续至2027 年12 月。产能与技术重心高度聚焦于1c DRAM 的大规模量产，以及HBM3E 和HBM4 的产能爬坡。
三星电子扩产重心集中在平泽园区P4 和P5 工厂，计划打造在同一园区内完成4nm 逻辑晶圆代工、HBM 存储制造及2.5D/3D系统级先进封装的闭环生产模式。三星承诺投入高达110 万亿韩元的巨资支持HBM4 及相关技术演进，并正积极导入能效极高的1c DRAM 工艺，同时大力推进混合键合技术的商业化量产，计划在HBM4 或最迟在HBM5（20 层以上）全面应用该技术，以期在堆叠厚度和散热性能上超越SK 海力士目前使用的MR-MUF 工艺。
全球半导体先进封装设备厂商显著受益
在全球AI 算力需求呈指数级爆发的背景下，海外存储巨头针对HBM 的激进扩产与中国大陆加速构建自主可控算力底座的趋势交汇。芯片封装从后道工序演变为决定算力系统性能的核心前台瓶颈。ASMPT 作为全球领先的半导体制造设备供应 商，凭借其全面、高精度的产品矩阵，深度卡位并顺应这两大核心趋势。
先进逻辑芯片领域，芯片到基板（C2S）设备方面， ASMPT 目前在领先逻辑代工厂及其OSAT 合作伙伴的C2S 应用中稳居工艺标准的主导地位。为应对AI 芯片向更加复杂工艺、结构的方向转变，ASMPT 已连续斩获多批次C2S TCB 量产工具订单，全力支持AI 芯片的大批量制造需求。芯片到晶圆（C2W）设备方面，ASMPT 搭载等离子AOR 技术的超微间距TCB 解决方案表现优异，不仅成功通过了领先逻辑客户的最终质量认证，更在2026 年第一季度斩获了多台量产订单，成为采用等离子技术的首选C2W 解决方案供应商。
高端存储领域，HBM 的堆叠正从8 层向12 层、16 层乃至20 层以上演进，单片DRAM 减薄至30 微米，凸块间距缩小至10 微米，传统的倒装回流焊工艺面临严重的芯片翘曲与短路瓶颈。针对这一痛点，ASMPT 提供了两类产品：1）热压键合机（TCB）；2）混合键合机（HB）。
其中， ASMPT 的TCB 设备通过局部加热加压，完美解决极薄芯片的翘曲与热应力问题。公司TCB 设备已被全球多家HBM 头部大厂率先采购用于HBM4 的量产， SK 海力士在12 层HBM3E的生产中向ASMPT 下达了超过30 台TCB 的批量订单，并在最新的HBM4 生产中，再次向ASMPT 下单多台单价约40 亿韩元的TCB 设备，合计金额约300 亿韩元。
当HBM 堆叠层数向16 层以上演进，厂商需要消除微凸块，将DRAM 对铜直接键合。ASMPT 推出了用于芯片到晶圆（D2W）的LithoBolt 设备，提供卓越的对齐精度和键合准确度。目前，ASMPT 的混合键合工具已获得客户正式验收出货，其极具竞争力的第二代HB 设备正与主要存储及逻辑客户进行多个项目的深入评估与合作。
我们看好公司乘着国内对于供应链自主可控的趋势以及在热压键合（TCB）等先进封装技术上的领先，能够解决华为昇腾与长鑫存储等国产芯片厂商大规模量产过程中的高精度互连痛点，从而收获中国算力、存力自主化建设带来的庞大设备采购红利。
盈利预测
预测公司2026-2028 年收入分别为153.84、177.20、200.46亿元，EPS 分别为3.64、4.93、6.03 港元，当前股价对应PE分别为45.35、33.51、27.37 倍，考虑到公司在半导体先进封装领域的卡位以及率先导入下游存储客户的认证优势，维持“买入”投资评级。
风险提示
地缘政治博弈与关税政策带来的不确定性；先进封装技术路线迭代；市场竞争加剧风险。