SK海力士计划投资超1000亿扩产，HBM芯片再度成为市场风口

SK海力士公司正式宣布，为应对全球范围内快速增长的AI需求，公司计划投资超过1000亿元人民币，扩大包括HBM在内的下一代DRAM的产能。

据了解，SK海力士已通过董事会决议，将位于韩国忠清北道清州市的M15X晶圆厂定为新的DRAM生产基地。公司将投资约5.3万亿韩元（约合279.84亿元人民币）用于厂房建设，并计划于本月底启动建设工程。

此次扩产计划并非一蹴而就，SK海力士已做好长远规划。随着设备投资计划的逐步增加，新生产基地建设的总投资额预计将长期超过20万亿韩元（约合1056亿元人民币）。公司表示，这将有助于进一步扩充产能，以满足AI应用对存储器的不断增长的需求。

SK海力士作为全球AI应用存储器领域的领先者，深刻认识到DRAM市场已进入中长期增长时代。特别是HBM等高性能DRAM产品，预计年均增长率将高达60%以上。为了确保HBM产品的产量达到与普通DRAM相同的水平，公司需要至少两倍于普通DRAM的生产能力。因此，提高以HBM为主的DRAM产能成为公司当前的首要任务。

在选择M15X作为新的生产基地时，SK海力士充分考虑了地理位置优势。M15X厂与正在扩充TSV生产能力的M15厂相邻，这将有助于优化HBM的生产流程，提高生产效率。此外，公司还将继续推进龙仁半导体集群等韩国国内的投资计划，以进一步巩固和提升公司在全球半导体市场的地位。

SK海力士的此次扩产计划不仅有助于公司应对AI时代的挑战，更将对韩国经济产生积极影响。作为SK集团的重要组成部分，SK海力士在韩国的持续投资已为当地经济发展做出了显著贡献。随着M15X和龙仁半导体集群等项目的推进，韩国有望成为全球AI半导体强国，进一步激发国家经济的活力。

SK海力士CEO郭鲁正表示：“M15X将成为向全世界提供AI应用存储器的核心设施，也是公司迈向未来的垫脚石。我确信此次投资不仅有助于公司的发展，还将对国家经济的未来发展做出贡献。”SK海力士将继续关注市场动态和技术发展趋势，加大研发投入，不断优化产品结构和生产流程。同时，公司也将积极拓展全球市场，与合作伙伴共同推动半导体产业的繁荣发展。

SK海力士一季度业绩超预期

在全球半导体市场持续复苏的大背景下，SK海力士近日发布的2024财年第一季度财务报告显示，公司业绩远超市场预期，收入和净利润均创下历史新高，标志着公司开始全面转向复苏期。

据财报显示，SK海力士在2024财年第一季度的合并收入为12.4296万亿韩元，同比增长了惊人的144%，环比也实现了显著增长。更为值得一提的是，公司的营业利润达到了2.8860万亿韩元，同比扭亏为盈，环比增长更是高达734%，远超分析师的预期。净利润也达到了1.9170万亿韩元，成功实现了同比扭亏为盈。

这一业绩的取得，主要得益于SK海力士在AI应用存储器领域的卓越竞争力。公司凭借其领先的HBM存储系统技术，成功提升了面向AI服务器的产品销量，从而实现了业绩的大幅增长。此外，公司还积极扩大HBM3E芯片的供应，并成功与台积电签署HBM4开发协议，进一步巩固了其在高带宽存储器市场的领先地位。

同时，SK海力士还持续优化NAND闪存产品，随着高端eSSD产品销售比重的提升以及平均售价的上升，成功实现了扭亏为盈。这一业绩的改善，不仅提升了公司的整体盈利水平，也为公司的未来发展奠定了坚实的基础。

SK海力士对AI存储器市场的增长趋势充满信心。公司认为，随着AI技术的不断发展，面向AI的存储器需求将持续增长。同时，普通DRAM产品的需求也将从下半年开始恢复，从而推动半导体存储器市场呈现稳定的增长趋势。

为了适应市场需求的增长趋势，SK海力士计划进一步扩大产能。公司宣布将投资超过原计划，以加速建设新的生产基地，并推进中长期投资项目。这一举措将有助于公司提高生产效率，降低成本，进一步提升市场竞争力。

此外，SK海力士还将继续加大研发投入，推动技术创新和产品升级。公司将以市场需求为导向，不断优化产品结构，提升产品性能和质量，以满足客户不断变化的需求。

SK海力士在2024财年第一季度的业绩表现令人瞩目，不仅远超市场预期，也为公司的未来发展奠定了坚实的基础。随着全球半导体市场的持续复苏和AI技术的快速发展，SK海力士将继续保持强劲的增长势头，开启全面复苏的新篇章。

HBM芯片再度成为市场风口

在科技飞速发展的今天，高性能计算、人工智能和图形处理等领域对内存带宽的需求日益增长。近日，高带宽存储器（HBM）芯片再度成为市场风口，其传输速度更快、容量更大的特性，使得它成为解决大规模数据并行处理问题的关键技术之一。

HBM芯片通过将一系列DRAM芯片垂直整合成堆叠式结构，每层之间通过硅互连进行通信，实现了较大容量和更高带宽的特性。与传统的GDDR相比，HBM具有更高的数据传输速率，能够满足现代计算应用对内存性能的苛刻要求。

近年来，随着HBM技术的不断发展，已经推出了从HBM到HBM3E的多个版本。其中，最新的HBM3E是HBM3的扩展版本，其带宽可超过1TB/s，为人工智能等领域的计算提供了强大的支持。英伟达等科技巨头对HBM技术寄予厚望，纷纷与芯片大厂签订大额订单，以应对日益增长的计算需求。

此外，三星、海力士和美光等存储巨头也在HBM领域展开了激烈的竞争。他们纷纷加大研发投入，加速推进HBM产品的升级换代。据悉，三星已经完成了16层混合键合HBM内存技术的验证，制造出了工作正常的16层堆叠HBM3内存样品。海力士则在HBM市场上占据了领先地位，预计未来几年其在HBM领域的销售额将实现显著增长。

高盛等投资机构也对HBM市场的前景表示乐观。他们认为，由于生成式人工智能的需求推动AI服务器出货量的增加以及每个GPU中HBM密度的提高，HBM市场的总规模将在未来几年内实现爆炸式增长。预计从2022年到2026年，HBM市场的复合年增长率将达到惊人的77%，市场规模将从23亿美元增长至230亿美元。

在市场需求不断增长的推动下，HBM芯片的供应也呈现出紧张态势。三星、海力士和美光三大原厂在HBM市场上占据了主导地位，他们正积极扩产以满足市场需求。此外，这些企业还在加速推进下一代产品HBM3E的量产，以获取先发优势。

HBM芯片的再度成为风口，不仅体现了其在高性能计算、人工智能等领域的重要地位，也预示着半导体产业将迎来新一轮的技术革新和市场竞争。随着HBM技术的不断进步和应用领域的拓展，它将为科技产业的未来发展注入强大的动力。