○SK海力士新建DRAM芯片生产基地 HBM市场有望快速增长

韩国存储芯片制造商SK海力士表示,计划投资5.3万亿韩元(约合38.6亿美元)在韩国建设一家新的动态随机存取存储器(DRAM)芯片生产基地。新生产基地旨在增加DRAM产能,重点是HBM,预计HBM市场年增长率将超过60%。在服务器大容量芯片产品的带动下,通用DRAM的需求稳步增长。

广发证券指出,HBM是一种新型内存,得益于堆叠结构和垂直TSV互连,具有更高的传输带宽、更高的存储密度、更低的功耗以及更小的尺寸,高带宽优势对大模型训练和推理的效率提升至关重要。近年来,大部分高端数据中心GPU和ASIC均使用HBM作为内存方案,GDDR在推理等场景中具备性价比优势。未来,HBM技术持续向更高带宽、更大容量发展,12Hi-16Hi HBM4有望2026年进入量产。

公司方面,东芯股份是国内少数同时提供NAND/NOR/DRAM产品的存储芯片Fabless公司;江波龙拥有行业类存储FORESEE和国际高端消费类Lexar两大存储品牌,多项存储产品市场份额领先。

K海力士一季度运营利润2.89万亿韩元远好于市场预期，称存储芯片市场步入全面复苏

SK海力士一季度销售12.43万亿韩元，分析师预期12.11万亿韩元。

一季度运营利润2.89万亿韩元，分析师预期1.8万亿韩元。

一季度净（利润）1.92万亿韩元，分析师预期0.91669万亿韩元。

记忆芯片市场正在进入全面复苏周期。

整体记忆市场料将处于一个稳步增长的轨道之上。预计二季度DRAM B/G季环比增幅将处于10%-20%区间的中部。

NAND业务在一季度出现实质性的转折。

相信（NAND业务）已经进入一个显而易见的反弹状态。预计二季度NAND B/G季环比将持平。预计传统DRAM市场将从下半年开始复苏。预计2024年资本开支将在一定程度上超过公司原来计划。（预计）将提高HBM3E的供应量，客户基数料将扩大。

逻辑不强不做，没有预期不做

强逻辑的加持和推进是投机的核心

梦想在诗和远方，永远只看当下！