后摩尔时代封装技术快速发展，封装设备迎国产化机遇

后摩尔时代渐进，先进封装快速发展。

先进与传统封装最大区别在于芯片与外部电连接方式，采取传输速度更快的凸块、中间层等，主要包括凸块（ Bump ）、倒装（Flip Chip）、晶圆级封装（Wafer level package）、再分布层技术（RDL）和硅通孔（TSV）技术等。

我国封测产业链较为成熟，但封装设备国产化率较低。

2022年全球委外封测（OSAT）厂商中国大陆长电科技、通富微电占等合计占比约25%；但国内缺乏知名封装设备商，封装设备国产化率不超过5%，我们认为未来自主可控背景，封装设备的国产化率有望进一步提升。

传统&先进封装所需设备有一定重合但工艺要求有所变化，设备增量主要在于前道图形化设备。

（1）传统：①减薄机：先进封装芯片厚度都在100μm以下甚至30μm以下，增大减薄难度；②划片机：目前以砂轮划片机为主导，激光划片机补充；③固晶机：对设备的效率和精度要求提高，关键在于视觉对位系统、运动控制等；④键合机：过去传统多为引线键合，但晶圆级封装技术快速发展，如临时键合&解键合是处理超薄晶圆背面制程工艺的关键支撑，混合键合仅通过铜触点实现短距离电气互连；⑤塑封机：转注封装多用于传统封装，先进封装背景下压塑封装为未来趋势；⑥电镀机：随着先进封装发展，例如凸块、 RDL、 TSV等均需要电镀金属铜进行沉积。（2）新增前道图形化设备：主要包括PVD或CVD等薄膜沉积设备、涂胶显影设备、光刻机、刻蚀机、电镀机等。

他山之石可以攻玉，海外龙头经验借鉴。

（1）减薄机&划片机：龙头为日本DISCO、东京精密等，二者合计份额在70-90%左右，国内布局减薄机的主要有华海清科、迈为股份、晶盛机电等，划片机主要有迈为股份、光力科技、大族激光、德龙激光等；（2）固晶机：Besi和ASM占据全球前两位，CR2在60%左右，国内主要为新益昌、快克智能等；（3）键合机：海外K&S、ASM为半导体引线键合机龙头，CR2约80%，国内主要为奥特维等，晶圆键合机龙头为奥地利EVG、德国SUSS等，CR2约70%，国内主要为拓荆科技、芯源微等。



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