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东微半导(688261):慧能泰并表提振短期营收和长期空间

11-04 00:01 122

机构:华泰证券
研究员:郇正林/郭龙飞/汤仕翯

  东微半导3Q26 实现营收4.97 亿元(YoY+42.88%,QoQ+8.82%),归母净利润0.15 亿元(YoY-28.99%,QoQ-85.22%),扣非归母净利润0.19亿元(YoY+74.97%,QoQ+396.06%)。1-3Q26 实现营收12.33 亿元(YoY+27.99%),归母净利润1.21 亿元(YoY+149.62%),扣非归母净利润0.19 亿元(YoY-5.14%)。我们看好公司依托超级结及中低压屏蔽栅MOSFET 等功率器件产品优势,结合慧能泰数字电源控制IC 技术,进一步拓展AI 服务器PSU、IBC 及VRM 供电环节,AI 算力电源业务有望成为公司中长期业绩增长的最重要驱动力。维持“买入”评级。
  3Q26 回顾:慧能泰并表带来收入持续增长,毛利率改善显著收入端,得益于公司持续优化超级结和屏蔽栅MOSFET 产品组合、扩充产能,以及慧能泰并表贡献,公司3Q26 营收同比增长42.88%至4.97 亿元。
  盈利能力端,3Q26 公司毛利率同比、环比双增,达到22.54%(YoY+5.06pct,QoQ+4.70pct),录得近三年最高毛利率水平;但由于公司刚并表完成,费用端处于大幅增长态势, 3Q26 销售/管理/ 研发费用同比分别提升97.4/79.0/80.4%,销管研费用率合计15.90%(YoY+3.47pct)。剔除股份支付费用的影响,公司2026 年1-9 月实现归属于上市公司股东的扣非净利润为4,285.45 万元,同比增长63.71%。
  未来展望:AI 算力供电有望打开成长空间,多产品协同驱动增长1)高压:随着AI 服务器功率密度提升及供电架构向800V 演进,公司依托超级结MOSFET、IGBT、SiC 等产品,积极布局AI 服务器供电环节。目前公司液冷算力服务器电源配套功率器件已实现量产交付,后续随着高压供电架构升级及相关产品持续导入,有望进一步提升算力电源业务收入及单客户配套价值量。第二代、第三代650V 和1200V 平台的多个SiC MOSFET 产品已通过严苛的工业级可靠性验证,进入稳定交付阶段。2)中低压MOSFET : 1H26 公司中低压屏蔽栅MOSFET 实现营收1.97 亿元(YoY+67.50%),40V FSMOS 已完成12 英寸产线迭代,150–200V 产品适配通信及服务器高频电源,同时公司持续开发DRMOS、GaN 产品,随着新品导入及客户订单释放,有望延续较快增长。3)慧能泰并表: 公司自2026 年5 月起并表慧能泰,新增数字电源控制器、DSP、栅极驱动等IC 产品,此次收购不仅直接为公司贡献收入增量,还有利于发挥功率器件与数字控制IC 的协同优势,进一步完善产品矩阵、提升客户配套价值量。
  盈利预测与估值
  考虑到公司在功率和模拟、高压和中低压产品的一体化布局以及AI 电源的前瞻卡位,我们看好公司长期快速增长趋势。维持公司26/27/28 年收入预测15.8/20.8/26.6 亿元;考虑到公司毛利率和公允价值损益增加,但并购和股权激励投入带来的管理费用、以及产品研发费用增加,我们小幅调整公司26/27/28 年预测至1.4/2.1/3.2 亿元( 较前次1.3/2.2/3.5 亿元+4.3/-2.6/-10.4%)。公司作为国内功率电源领域布局领先的企业,我们看好27 年国内数据中心放量带来公司收入和利润快速增长,基于公司 27 年39.5X PE(Wind 一致预期可比公司均值),给予目标价67.62 元(前值82.53元,基于27E 46.8XPE),维持“买入”评级。
  风险提示:行业竞争加剧,产品价格下行风险,新技术及产品研发不达预期。