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机构：华创证券
研究员：张一弛/范益民/陈思雨/尹森/顾真/韩家宝
HJT 整线设备全球领先，海外缺电驱动需求高增。IEA 预计2026-2030 年全球电力需求CAGR 为3.6%，海外缺电情况明显；摩根士丹利预测2028 年美国数据中心存在32GW 的电力净缺口，美国电网容量资源充足率预计于2029年转负。未来四年印度电力需求年均增速约8.8%，峰值电力需求将从245GW提升至345GW。光伏平准化度电成本低，建设周期短，是应对电力短缺的核心增量电源。HJT 电池平均转换效率已达25.9%，兼具工艺简洁、人均产出高等优势，在人工成本更高的海外市场尤为突出。公司是全球少数具备HJT 异质结电池整线供应能力的设备商之一，全球市占率领先，通过自主研发PECVD、PVD 等核心设备实现制绒、沉积到金属化全工序整线贯通。受益于海外扩产，2026H1 公司境外营收19.84 亿元，同比增长140.64%。
切入刻蚀与薄膜沉积高价值赛道，受益前道国产替代进程。前道晶圆制造占产业链价值超 85%，刻蚀与薄膜沉积设备为核心品类。干法刻蚀市场由LAM、TEL、AMAT 等国际厂商垄断，合计市占率超80%；薄膜沉积设备国产化率偏低，CVD/ALD 仅5%–10%、PVD 成熟制程15%–20%，国产替代空间广阔。
公司重点布局刻蚀与薄膜沉积两大赛道，高选择比刻蚀设备、原子层沉积设备已完成多品种国产替代，部分薄膜沉积设备进入芯片厂产线验证并获得重复订单。受益于AI 驱动下存储芯片等厂商集中扩产，前道设备订单有望持续释放。
激光与键合能力突出，先进封装国产设备优势显著。全球封测设备行业进入AI驱动的高景气周期，2025 年市场规模达172 亿美元，同比增长36.6%。 2.5D/3D先进封装产能结构性供不应求，2025 年产能供需比低至-23%。公司后道业务聚焦泛切割与 2.5D/3D 封装，率先实现激光开槽、激光改质等装备的国产化，晶圆激光开槽设备、晶圆研抛一体机国内市场占有率稳居首位。公司先进封装多款设备已导入长电科技、通富微电、华天科技等头部封测厂商，有望在先进封装国产替代浪潮中持续放量兑现业绩。
投资建议：公司是光伏HJT 整线设备全球龙头，海外业务持续拓展；半导体设备受益国产替代，有望支撑未来利润修复。考虑到光伏行业深度调整及半导体业务放量，我们预计公司2026–2028 年归母净利润分别为5.52/13.52/19.82亿元。当前市值对应PE 分别为68/28/19 倍。光伏与半导体及显示业务差异较大，参考可比公司估值，我们分别给予公司2027 年光伏、半导体及显示业务22/54 倍PE，目标价165.56 元，首次覆盖，给予“推荐”评级。
风险提示：光伏行业景气度降低风险、验收周期长引发的经营业绩波动风险、设备市场竞争加剧风险、技术替代风险、毛利率下滑风险。