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会员
机构：长江证券
研究员：赵智勇/倪蕤
公司公告定增预案，拟向不超过35 名特定投资者发行A 股股票，募集资金总额不超过49.44亿元，发行数量不超过1.39 亿股（含），不超过发行前总股本的30%。募集资金扣除发行费用后拟全部用于：1）无锡先进半导体设备产业化升级迭代项目（拟投入7.29 亿元）；2）华中先进半导体设备产业化项目（拟投入2.89 亿元）；3）尖端薄膜沉积技术研发中心项目（拟投入32.25 亿元）；4）补充流动资金项目（拟投入7.00 亿元）。
事件评论
拟定增募资不超49.44 亿元，全面加码半导体核心装备主业。本次定增拟募集资金总额不超过49.44 亿元，将全额投向半导体设备升级、区域产业化基地、尖端技术研发及流动资金补充。随着逻辑、存储及先进封装技术演进，半导体设备国产化需求持续强劲。本次定增将大幅充实公司资金实力，提升规模化交付能力，加速核心产品迭代与新产品产业化导入。本次发行不会导致公司的控制权发生变化。
无锡与华中双基地布局，强化规模化交付与重点客户协同。1）无锡升级项目（7.29 亿元）：
围绕iTomic HiK、iTomic MeT、iTomic PE、iTronix PE、iTomic SPX 等现有成熟产品持续升级设备架构与工艺能力，并承接iTronix PES 等前期研发成果落地，全面提升多腔体高产能交付能力。2）华中（武汉）项目（2.89 亿元）：重点面向3D NAND 等先进存储制造领域，贴近存储龙头客户建设集研发、验证、装配与技术服务于一体的区域基地，大幅缩短产品验证与响应周期。截至2026 年6 月，公司半导体设备在手订单已达26.98 亿元，项目建设将有力破除产能瓶颈，保障充沛订单的高效交付。
打造尖端研发中心，推进全平台跨技术路线产品。尖端薄膜沉积技术研发中心项目拟投入32.25 亿元（建设期60 个月），围绕GAAFET、3D NAND、3D DRAM、Chiplet、2.5D/3DTSV 等前沿工艺需求，在现有ALD、CVD 基础上横向拓展PVD、ALE 等新技术路线，并推动人工智能（AI）在设备控制、工艺优化及智能运维中的融合应用。同时，项目拟建覆盖上下游的工艺验证Mini-line，构建自主研发测试环境，大幅提升工艺迭代与客户导入效率。
补流7.00 亿元强健财务结构，半导体强劲增长夯实长期底座。本次拟使用7.00 亿元补充流动资金，满足半导体设备采购、生产及研发的高额营运资金需求。2025 年公司半导体设备收入达8.81 亿元，同比大幅增长169.12%，半导体已成为公司最核心的增长引擎。
投资建议：公司作为国产半导体薄膜沉积设备领军企业，本次49.44 亿元定增将大幅提升其规模化交付与研发验证能力。华中基地的建设将深化与存储龙头客户的协同，尖端研发中心则推动公司由ALD/CVD 向PVD、ALE 等全平台薄膜沉积设备跨越。随着半导体充沛订单的持续验收及定增募投项目的逐步落地，公司整体盈利能力与产业地位有望迎来全面提升，维持“买入”评级。
风险提示
1、新产品研发、验证进度不及预期的风险；
2、下游技术发展、扩产规模不及预期的风险。
风险提示
1、新产品研发、验证进度不及预期的风险。公司产品系客户产线的关键工艺设备，设备难度较高，且半导体设备下游晶圆厂客户、光伏电池片厂商客户对公司产品的验证要求较高、验证周期较长，因此公司用于半导体各细分领域和新型高效电池的新产品存在研发、验证进度不及预期的风险。
2、下游技术发展、扩产规模不及预期的风险。当前我国半导体产线关键设备的国产化仍处于起步和发展阶段，且公司关键技术主要应用于逻辑、存储领域先进制程领域，若国内半导体先进产线进展不及预期，公司产品或将面临需求较小的风险。此外，公司设备销售依赖下游厂商资本开支，若下游晶圆厂扩产进展不及预期，将影响公司设备的采购。在光伏领域，新型高效电池因技术成熟度、投资成本等限制性因素，规模化量产也存在不确定性。如果半导体制造和国内新型高效电池产线发展不及预期，公司未来销售增长将受到限制。