美光93亿美元扩建广岛项目动工 预计2028下半年出货HBM

格隆汇7月4日｜美光科技正式启动日本西部工厂扩建工程，该项目总投资1.5万亿日元(约合93亿美元)，用于生产包括高带宽存储器(HBM)在内的先进存储芯片。此次扩建是这家美国企业全球扩产计划的一环，旨在满足人工智能产业需求。HBM是英伟达AI处理器的关键组件，工厂预计将于2028年夏季左右开始出货。为支持该项目的建设，日本经济产业省已承诺提供最高5000亿日元的补贴。美光科技首席执行官Sanjay Mehrotra在奠基仪式上表示，“美光首批用于人工智能核心存储技术——HBM的生产晶圆，就是在广岛制造的。”

近期，美光、三星电子和SK海力士各自都宣布了扩充制造能力的计划。本周早些时候，SK海力士宣布，计划投资80万亿韩元(约合514.6亿美元)，在韩国忠清北道首府清州市新建一座NAND存储芯片工厂。