LG电子启动混合键合设备开发 目标2028年实现大规模量产

格隆汇7月14日｜LG电子下属的生产技术研究所 (PTI) 已启动混合键合设备开发，目标在2028年实现大规模量产。混合键合未来将成为16+层堆叠HBM内存堆栈构建的关键技术，其采用无凸块的铜-铜键合，缩小各层DRAM Die间距，能在有限的高度内实现更高层数堆叠，且具备更低发热。