马斯克或采用FEL技术挑战EUV光刻机

格隆汇8月10日｜SpaceX(SPCX.O)近日宣布将与特斯拉(TSLA.O)合作，初期投资168亿美元，在美国得州与建Terafab芯片设施。有博客博主发布消息称，从Terafab发布的消息来看，马斯克似乎要采用“自由电子激光器”(Free Electron Laser, FEL)技术路线，以挑战阿斯麦(ASML.O)的LPP EUV光源，颠覆传统EUV晶片生产技术的垄断。马斯克其后的回应，似乎印证了这种说法，他贴上“FEL FTW”（FEL For The Win）字眼。从Terafab细长的厂房设计和马斯克的回复可以看出，Terafab很可能会采用FEL技术。尽管马斯克要搞FEL只是一种猜想，但仍引起业界人士热烈讨论。FEL具备高功率、高相干、波长可调和，以及更高能效等优势，理论上可以将光刻光源从13.5nm、推向6nm甚至更短波长。不过，庞大的加速器系统、成本及量产稳定性仍是产业化最大挑战。