安森美半导体将与格芯合作开发新一代氮化镓功率器件

格隆汇12月19日｜安森美半导体宣布与格芯签署合作协议，将采用格芯先进的200毫米eMode氮化镓硅基工艺开发并制造先进氮化镓(GaN)功率产品，首款产品为650V器件。此次合作将加速安森美半导体高性能GaN器件及集成功率级产品路线图的推进，通过扩展高压产品组合满足人工智能数据中心、电动汽车、可再生能源、工业系统以及航空航天、国防和安全领域日益增长的功率需求。