SK海力士正研发高带宽存储(HBS)

格隆汇11月11日｜据ETNews援引业内人士透露，SK海力士正在研发高带宽存储(HBS)技术，该技术最多可堆叠16个DRAM和NAND闪存模块，并通过垂直导线扇出(VFO)连接，从而提高数据处理速度，有望让未来的智能手机和平板电脑具备更强大的AI算力。