三星HBM3E和HBM4 DRAM良率提高

格隆汇5月19日｜据媒体援引内部消息人士透露，三星电子DS部门最近将应用于HBM3E核心芯片的10纳米级第五代(1b)DRAM的良率提高到92%(基于冷态测试)，并将安装在HBM4上的第六代(1c)DRAM的良率提高到75%以上。