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其中，富满电子、海特高新涨停，云南锗业、三安光电、台基股份涨超5%。
氮化镓(GaN)是一种广为看好的新型半导体材料，具有超强的导热效率、耐高温和耐酸碱等优点，用在充电器中更是具有高效率低发热、高功率小体积的优点，充电功率转换也比传统充电器更具优势。据悉，采取该技术的小米GaN充电器，最高支持65W疾速充电，搭配小米10 Pro可实现50W快充。在引起行业内外关注的同时，拉动了供应链上下游产业的活力。
在发布会现场上，雷军多次详细介绍该项技术的先进性。小米10系列以及GaN充电器的发布，刺激并激活了行业信心，得到行业分析师、资方及相关企业关注。相关产业链的工作人员称，这都要感谢雷总。
当天，多家券商电子行业研究人员，紧急组织电话会议，基于这款采用氮化镓（GaN）技术充电器的发布，特邀行业专家，详细解读行业技术趋势和投资机会。同时，格隆汇平台昨天也发布了《研报掘金丨掘金：第三代半导体材料能为生活带来怎样的便利？》。
行业人士分析，三安光电、闻泰科技（600745.SH）、富满电子（300671.SZ）等标的受到重点关注。其中，今年2月3日，三安光电还在投资者交流平台上表示，公司目前氮化镓（GaN）产能约2000片每月，产能还在增加。
市场普遍认为，氮化镓（GaN）是未来最具增长潜质的化合物半导体，与GaAs和InP等高频工艺相比，氮化镓（GaN）器件输出的功率更大；与LDCMOS和SiC等功率工艺相比，氮化镓（GaN）的频率特性更好。
同时，市场还预期，随着5G网络应用的日益临近，将从2019年开始为 GaN器件带来巨大的市场机遇。相比现有的硅LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体技术）和GaAs（砷化镓）解决方案，GaN器件能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能。预计到2025年，GaN还将主导射频功率器件市场，抢占基于硅LDMOS技术的基站PA市场。
采用氮化镓材料后，小米充电器USB-C 65W的体积比小米笔记本标配的适配器缩小了48％，携带更方便，搭配小米10 Pro可提供最高50W充电功率，45分钟即可充入100％。